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CSD19505KCS  与  IPP028N08N3 G  区别

型号 CSD19505KCS IPP028N08N3 G
唯样编号 A-CSD19505KCS A-IPP028N08N3 G
制造商 TI Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 150A TO220-3 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.8mΩ
上升时间 - 73ns
漏源极电压Vds - 80V
Pd-功率耗散(Max) - 300W
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 86ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id - 100A
工作温度 - -55°C~175°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS™
长度 - 10mm
下降时间 - 33ns
典型接通延迟时间 - 28ns
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
CSD19505KCS TI  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IPP028N08N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP028N08N3GXKSA1_80V 100A 2.8mΩ 20V 300W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 500 对比
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阶梯数 价格
20: ¥19.1558
50: ¥15.9632
0 对比
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暂无价格 0 对比

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